Radiation Resistance of Test npn IC Transistors with Dielectric Insulation, Manufactured on Silicon, Isovalently Doped with Germanium (SiGe)

Назва статтіRadiation Resistance of Test npn IC Transistors with Dielectric Insulation, Manufactured on Silicon, Isovalently Doped with Germanium (SiGe)
ПосиланняBytkin S. ., Krytskaya T. V. Radiation Resistance of Test npn IC Transistors with Dielectric Insulation, Manufactured on Silicon, Isovalently Doped with Germanium (SiGe). Visnyk NTUU KPI. 2023. № 91. C. 72-78. URL: https://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1752.
Електронне посиланняhttps://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1752
Автори
  • Bytkin S. V. ; ;
  • Krytskaya T. V.; ;
Назва журналу (збірника)Visnyk NTUU KPI
Статус журнала (збірника)
Рік видання2023
Том
Номер (випуск)91
Номери сторінок72-78
Кількість друкованих аркушів0.35
Галузь наукиПриродничо-математичні і технічні
Мова виданняАнглійська
Категорія
Публікація в періодичному виданні
Категорія WOS,