| Назва публікації | Nonlinear effect of Ge concentration on the test npn ICs transistors structures gain (β) and percentage of yield of suitable products |
|---|
| Посилання | Bytkin S. ., Krytskaya T. V. Nonlinear effect of Ge concentration on the test npn ICs transistors structures gain (β) and percentage of yield of suitable products. Microelectronic Devices and Technologies Proceedings of the 5th International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2023) Funchal (Madeira Island): International Frequency Sensor Association (I, 2023. C. 5-11. URL: https://sensorsportal.com/MicDAT_2023/MicDAT_2023_Proceedings.pdf. |
|---|
| Електронне посилання | https://sensorsportal.com/MicDAT_2023/MicDAT_2023_Proceedings.pdf |
|---|
| Автори |
-
Bytkin S. V. ;
;
-
Krytskaya T. V.;
;
|
|---|
| Повна назва збірника матеріалів конференції | Microelectronic Devices and Technologies Proceedings of the 5th International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2023) |
|---|
| Рівень конференції | Міжнародна (закордонна) |
|---|
| Рік публікації | 2023 |
|---|
| Том | |
|---|
| Номер (випуск) | |
|---|
| Номери сторінок | 5-11 |
|---|
| Кількість друкованих аркушів | 0.30 |
|---|
| Галузь науки | Природничо-математичні і технічні |
|---|
| Мова видання | Англійська |
|---|