FEATURES OF GROWING Si- AND Si1-xGex-SINGLE-CRYSTAL FILMS FROM SOLUTION-MELT BASED ON TIN

Назва статтіFEATURES OF GROWING Si- AND Si1-xGex-SINGLE-CRYSTAL FILMS FROM SOLUTION-MELT BASED ON TIN
ПосиланняRazzokov A. S., Saidov A. S., Girzhon V. V., Smolyakov O. . FEATURES OF GROWING Si- AND Si1-xGex-SINGLE-CRYSTAL FILMS FROM SOLUTION-MELT BASED ON TIN. Журнал фізичних досліджень. 2022. Т. 26. № 4. C. 4601-1 - 4601-5. URL: https://physics.lnu.edu.ua/jps/2022/4/pdf/4601-5.pdf.
Електронне посиланняhttps://physics.lnu.edu.ua/jps/2022/4/pdf/4601-5.pdf
Автори
  • Girzhon V. V.; ;
  • Smolyakov Olexandr ; ;
  • Razzokov A Sh; ;
  • Saidov A S; ;
Назва журналу (збірника)Журнал фізичних досліджень
Статус журнала (збірника)Вітчизняний фаховий
Рік видання2022
Том26
Номер (випуск)4
Номери сторінок4601-1 - 4601-5
Кількість друкованих аркушів0.50
Галузь наукиПриродничо-математичні і технічні
Мова виданняАнглійська
Категорія
Публікація в періодичному виданні
Категорія А,