| Назва статті | Quantum chemical study of the properties of an SiO2/Si(100) interface implanted with boron ions |
|---|---|
| Посилання | Yanovsky A. S., Tkachenko A. V., Ananina O. Y. Quantum chemical study of the properties of an SiO2/Si(100) interface implanted with boron ions. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2010. Т. 74. № 2. C. 157-160. URL: https://www.researchgate.net/publication/243756276. |
| Електронне посилання | https://www.researchgate.net/publication/243756276 |
| Автори |
|
| Назва журналу (збірника) | Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics |
| Статус журнала (збірника) | Закордонний |
| Рік видання | 2010 |
| Том | 74 |
| Номер (випуск) | 2 |
| Номери сторінок | 157-160 |
| Кількість друкованих аркушів | 0.25 |
| Галузь науки | Природничо-математичні і технічні |
| Мова видання | Англійська |
| Категорія | Публікація в періодичному виданні Категорія SCOPUS, |