| Назва статті | Potential of using inert gas flws for controlling thequality of as-grown silicon single crystal |
|---|---|
| Посилання | Kritskaya T. V., Zhuravlev V. N., Berdnikov V. S. Potential of using inert gas flws for controlling thequality of as-grown silicon single crystal. Modern Electronic Materials. 2020. № 6 (1). C. 1-7. URL: https:// doi.org/ 0.3897/j.moem.6.1.53248. |
| Електронне посилання | https:// doi.org/ 0.3897/j.moem.6.1.53248 |
| Автори |
|
| Назва журналу (збірника) | Modern Electronic Materials |
| Статус журнала (збірника) | Закордонний |
| Рік видання | 2020 |
| Том | |
| Номер (випуск) | 6 (1) |
| Номери сторінок | 1-7 |
| Кількість друкованих аркушів | 0.48 |
| Галузь науки | Природничо-математичні і технічні |
| Мова видання | Англійська |
| Категорія | Публікація в періодичному виданні Категорія SCOPUS, |